โลกของหน่วยความจำเตรียมเปลี่ยนหน้าใหม่ เมื่อ NEO Semiconductor เผยโฉม “3D X-DRAM” หน่วยความจำแบบ DRAM ที่มาพร้อมเทคโนโลยีสุดล้ำ ทั้งการผลิตแบบ 3D NAND และวัสดุ IGZO ที่เคยใช้ในจอ OLED ระดับพรีเมียม
ความจุแบบสุดโต่ง 64GB ต่อแถว ในแรมที่อาจกลายเป็นของสามัญ
แม้ปัจจุบันจะมีแรม 64GB ต่อแถวให้เห็นในเซิร์ฟเวอร์หรือเวิร์กสเตชันอยู่แล้ว แต่ราคายังแรง และไม่ใช่ของที่ใคร ๆ จะใส่ในโน้ตบุ๊กหรือพีซีที่บ้านได้ง่าย ๆ
3D X-DRAM คือการ "ลดเพดาน" ให้แรมระดับสูงเป็นของที่จับต้องได้
- ใช้เทคโนโลยีการผลิตแบบเดียวกับแฟลช NAND ซึ่งหมายถึงโรงงานสามารถอัปเกรดได้ ไม่ต้องลงทุนใหม่ทั้งหมด
- ใช้ IGZO (วัสดุที่ใช้ในจอภาพพรีเมียม) ช่วยให้ซ้อนชั้นแรมได้หนาแน่นขึ้น กินไฟต่ำลง
- ความเร็วการเข้าถึงข้อมูลระดับ 10 นาโนวินาที
- เก็บข้อมูลได้นานถึง 9 นาที แม้ไม่มีไฟเลี้ยง (มากกว่า DRAM ทั่วไปอย่างมีนัย)
จ่อเปลี่ยนมาตรฐานทั้งวงการ เตรียมเริ่มผลิตชิปทดสอบปี 2026
หน่วยความจำใหม่นี้ถูกมองว่าเป็นก้าวสำคัญที่อาจเปลี่ยนเกมอุตสาหกรรม DRAM ทั้งในด้านราคา ความจุ และการผลิต เมื่อแรมระดับ 64GB ต่อแถวอาจกลายเป็นพื้นฐานใหม่ของโน้ตบุ๊กหรือพีซีทั่วไปได้ภายในไม่กี่ปีข้างหน้า
จากที่เคยต้องใส่แรม 4 แถวถึงได้ 64GB อนาคตอาจใส่แค่แถวเดียวก็จบ ประหยัดพื้นที่ ประหยัดพลังงาน และอาจประหยัดงบประมาณในระยะยาว
เทคโนโลยีนี้จะถูกนำเสนอในงาน IEEE IMW เดือนนี้ และน่าจับตาว่าใครจะเป็นเจ้าแรกที่นำไปใช้ในผลิตภัณฑ์จริง
tags : storagenewsletter
